ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ lasers: ਜੰਤਰ ਦੀ ਕਿਸਮ, ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਅਸੂਲ, ਦੀ ਵਰਤੋ

ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ lasers ਮਾਤਰਾ ਜਰਨੇਟਰ ਅਰਧਚਾਲਕ ਅਧਾਰਿਤ ਸਰਗਰਮ ਮੱਧਮ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰੇਰਨਾ ਨਿਕਾਸੀ ਦੇ ਕੇ ਆਪਟੀਕਲ amplification ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਮੁਫ਼ਤ ਇੰਚਾਰਜ ਕੈਰੀਅਰ ਦੇ ਇੱਕ ਉੱਚ ਇਕਾਗਰਤਾ 'ਤੇ ਮਾਤਰਾ ਊਰਜਾ ਦੇ ਪੱਧਰ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਤਬਦੀਲੀ' ਤੇ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਹੁੰਦੇ ਹਨ.

ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਲੇਜ਼ਰ: ਕਾਰਵਾਈ ਦੇ ਅਸੂਲ

ਆਮ ਤੌਰ ਤੇ, ਇਕਟ੍ਰੋਨ ਬਹੁਮਤ valency ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਸਥਿਤ ਹਨ. ਪਹੁੰਚ ਫੋਟੋਨ ਊਰਜਾ ਊਰਜਾ ਪਹਿਰੇਦਾਰ ਪਾੜੇ, ਇੱਕ ਅਰਧਚਾਲਕ ਵੱਧ ਦੌਰਾਨ, ਇਕਟ੍ਰੋਨ ਵੇਗ ਦੀ ਹਾਲਤ ਵਿੱਚ ਆ, ਅਤੇ ਮਨ੍ਹਾ ਜ਼ੋਨ ਤੋੜ, ਇੱਕ ਮੁਫ਼ਤ ਜ਼ੋਨ ਵਿੱਚ ਵਧ ਰਹੇ, ਇਸ ਦੇ ਹੇਠਲੇ ਕਿਨਾਰੇ 'ਤੇ ਧਿਆਨ. ਇਸ ਦੇ ਨਾਲ ਹੀ, ਇੱਕ ਮੋਰੀ ਦੀ ਵਾਲਿਨਸ ਪੱਧਰ ਵਿੱਚ ਗਠਨ, ਇਸ ਦੇ ਵੱਡੇ ਸਰਹੱਦ ਵਧ. ਮੁਫ਼ਤ ਜ਼ੋਨ ਵਿਚ ਇਕਟ੍ਰੋਨ ਛੇਕ ਦੇ ਨਾਲ recombine, photons ਦੇ ਰੂਪ ਵਿਚ ਊਰਜਾ ਪਾਟ ਜ਼ੋਨ ਦੇ ਊਰਜਾ ਦੇ ਬਰਾਬਰ, radiating. Recombination ਕਾਫ਼ੀ ਊਰਜਾ ਦੇ ਪੱਧਰ ਨਾਲ photons ਦੇ ਕੇ ਸੁਧਾਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ. ਅੰਕੀ ਦਾ ਵੇਰਵਾ ਫਰਮੀ ਵੰਡ ਸਮਾਰੋਹ ਨਾਲ ਸੰਬੰਧਿਤ ਹੈ.

ਜੰਤਰ ਨੂੰ

ਅਰਧਚਾਲਕ ਲੇਜ਼ਰ ਜੰਤਰ ਹੈ ਲੇਜ਼ਰ ਡਾਇਡ conductive ਅਰਧਚਾਲਕ ਲਾਕਕੰਗ ਅਤੇ n-ਕਿਸਮ ਦੇ ਨਾਲ ਸੰਪਰਕ ਦੇ ਬਿੰਦੂ - ਖੇਤਰ p-n-ਬਦਲੀ ਵਿਚ ਊਰਜਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਅਤੇ ਛੇਕ ਲਿਵਾਲੀ. ਇਸ ਦੇ ਇਲਾਵਾ, ਉੱਥੇ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸ਼ਤੀਰ ਰੌਸ਼ਨੀ ਅਤੇ ਮਾਤਰਾ Cascade lasers, ਜੋ ਕਿ ਜ਼ੋਨ ਦੇ ਅੰਦਰ ਤਬਦੀਲੀ 'ਤੇ ਆਧਾਰਿਤ ਹਨ photons ਦੇ ਸਮਾਈ ਕੇ ਬਣਾਈ ਹੈ ਆਪਟੀਕਲ ਊਰਜਾ ਇੰਪੁੱਟ ਦੇ ਨਾਲ ਅਰਧਚਾਲਕ lasers ਹਨ.

ਬਣਤਰ

ਹੇਠ ਆਮ ਮਿਸ਼ਰਣ, ਅਰਧਚਾਲਕ lasers ਅਤੇ ਹੋਰ optoelectronic ਜੰਤਰ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ:

• gallium arsenide;
• gallium phosphide;
• gallium nitride;
• indium phosphide;
• indium gallium arsenide;
• gallium ਅਲਮੀਨੀਅਮ arsenide;
• gallium-indium-gallium nitride;
• phosphide, gallium-indium.

ਤਰੰਗ

ਇਹ ਮਿਸ਼ਰਣ - ਸਿੱਧਾ-ਪਾੜੇ semiconductors. Indirect- (ਸਿਲੀਕਾਨ) ਕਾਫੀ ਫੋਰਸ ਅਤੇ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਨਾਲ ਚਾਨਣ ਨੂੰ ਛਡਦਾ ਨਾ ਕਰਦਾ ਹੈ. ਦੇ ਤਰੰਗ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਡਾਇਡ ਲੇਜ਼ਰ ਦੀ ਖਾਸ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਦੇ ਪਹਿਰੇਦਾਰ ਪਾੜੇ ਕੋਲ ਫੋਟੋਨ ਊਰਜਾ ਦੇ ਊਰਜਾ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ. 3- ਅਤੇ 4-ਭਾਗ ਅਰਧਚਾਲਕ ਮਿਸ਼ਰਣ ਊਰਜਾ ਪਹਿਰੇਦਾਰ ਪਾੜੇ ਨੂੰ ਲਗਾਤਾਰ ਇੱਕ ਵਿਆਪਕ ਲੜੀ 'ਤੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ. AlGaAs ਤੇ = ਅਲ _x ਗਾ _1-X ਹੋਣ ਦੇ ਨਾਤੇ, ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਵੱਧ ਰਹੀ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ (X ਵਿਚ ਵਾਧਾ) ਊਰਜਾ ਪਹਿਰੇਦਾਰ ਪਾੜੇ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ ਹੈ.

ਸਭ ਆਮ ਅਰਧਚਾਲਕ lasers ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਦੇ ਨੇੜੇ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਹਿੱਸੇ ਵਿਚ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਕੁਝ ਲਾਲ (gallium indium phosphide), ਨੀਲੇ ਜ ਜਾਮਨੀ (gallium nitride) ਰੰਗ ਛਡਦਾ. ਔਸਤ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਅਰਧਚਾਲਕ ਲੇਜ਼ਰ (ਦੀ ਲੀਡ selenide) ਅਤੇ ਮਾਤਰਾ Cascade lasers.

ਜੈਵਿਕ semiconductors

ਇਲਾਵਾ ਉਪਰੋਕਤ ਅਨੇਕ ਮਿਸ਼ਰਣ ਵਰਤਿਆ ਹੈ ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ. ਉਚਿਤ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਦੇ ਤਹਿਤ ਅਜੇ ਵੀ ਹੈ, ਪਰ ਇਸ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ lasers ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਦੀ ਲਾਗਤ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਨ ਦਾ ਵਾਅਦਾ. ਇਸ ਲਈ ਹੁਣ ਤੱਕ, ਸਿਰਫ ਆਪਟੀਕਲ ਊਰਜਾ ਇੰਪੁੱਟ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਨੂੰ ਬਿਜਲੀ ਪੰਪ ਅਜੇ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਨਾ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਦੇ ਨਾਲ ਜੈਵਿਕ lasers ਵਿਕਸਤ.

ਸਪੀਸੀਜ਼

ਵੱਖ-ਵੱਖ ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਅਤੇ ਅਰਜ਼ੀ ਦਾ ਮੁੱਲ ਦੇ ਨਾਲ ਅਰਧਚਾਲਕ lasers ਦੀ ਇੱਕ plurality ਹੈ.

ਛੋਟੇ ਲੇਜ਼ਰ diodes ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਮਕੈਨੀਕਲ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਜਿਸ ਦੇ ਬਿਜਲੀ ਦੇ ਪੰਜ ਸੌ milliwatts ਕਰਨ ਲਈ ਕੁਝ ਸੌ ਤੱਕ ਦਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਦੀ ਇੱਕ ਸ਼ਤੀਰ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਦੇ ਹਨ. ਲੇਜ਼ਰ ਡਾਇਡ ਚਿੱਪ ਇੱਕ ਪਤਲੇ ਆਇਤਾਕਾਰ ਪਲੇਟ, ਜੋ ਕਿ ਇੱਕ waveguide ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਸੇਵਾ, ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦਾ ਇੱਕ ਛੋਟਾ ਜਿਹਾ ਸਪੇਸ ਤੱਕ ਹੀ ਸੀਮਿਤ ਹੈ, ਕਿਉਕਿ ਹੈ. ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਖੇਤਰ ਦੇ ਇੱਕ ਪੀ ਐਨ-ਤਬਦੀਲੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਦੋਨੋ ਪਾਸੇ ਦੇ ਨਾਲ doped. Perot interferometer - ਪਾਲਿਸ਼ ਅੰਤ ਨੂੰ ਇੱਕ Fabry ਦਾ ਇੱਕ ਆਪਟੀਕਲ resonator ਬਣਾਉਣ. ਫ਼ੋਟੋਨ ਖੋਲ ਲੰਘ recombination ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਵਾਧਾ ਹੋਵੇਗਾ ਦਾ ਕਾਰਨ ਹੈ, ਅਤੇ ਪੀੜ੍ਹੀ ਸ਼ੁਰੂ ਹੋ ਜਾਵੇਗਾ. ਉਹ ਲੇਜ਼ਰ ਪੁਆਇੰਟਰ, CD- ਅਤੇ DVD-ਖਿਡਾਰੀ, ਦੇ ਨਾਲ ਨਾਲ ਫਾਈਬਰ ਆਪਟਿਕ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਦਾ ਹੈ.

ਘੱਟ ਪਾਵਰ lasers ਅਤੇ ਛੋਟਾ ਦਾਲ ਬਣਾਉਣ ਸਮਾਗਮ ਸਮਕਾਲੀ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ ਲਈ ਇੱਕ ਬਾਹਰੀ ਖੋਲ ਦੇ ਨਾਲ ਠੋਸ lasers.

ਇੱਕ ਬਾਹਰੀ ਖੋਲ ਇੱਕ ਲੇਜ਼ਰ ਡਾਇਡ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਲਾਭ ਮੱਧਮ ਹੋਰ ਲੇਜ਼ਰ-resonator ਦੀ ਰਚਨਾ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਰੋਲ ਅਦਾ ਦੇ ਨਾਲ ਅਰਧਚਾਲਕ lasers. wavelengths ਨੂੰ ਬਦਲਣ ਦੇ ਸਮਰੱਥ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਤੰਗ ਨਿਕਾਸੀ ਪਹਿਰੇਦਾਰ ਹੈ.

ਟੀਕਾ lasers ਇੱਕ ਵਿਆਪਕ ਪਹਿਰੇਦਾਰ ਵਿਚ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੀ ਅਰਧਚਾਲਕ ਖੇਤਰ 'ਹਨ, ਕਈ ਵਾਟਸ ਦੀ ਇੱਕ ਘੱਟ ਗੁਣਵੱਤਾ ਸ਼ਤੀਰ ਬਿਜਲੀ ਪੈਦਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ. ਇਹ ਇੱਕ ਪਤਲਾ ਐਕਟਿਵ ਲੇਅਰ ਲਾਕਕੰਗ ਅਤੇ n-ਲੇਅਰ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਦਾ ਨਿਪਟਾਰਾ, ਇੱਕ ਡਬਲ heterojunction ਸਰੂਪ ਦੇ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ. ਪਾਸੇ ਦਿਸ਼ਾ ਵਿੱਚ ਰੋਸ਼ਨੀ ਦੀ ਕੈਦ ਦੀ ਵਿਧੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਉੱਚ ਸ਼ਤੀਰ ਨੂੰ ellipticity ਅਤੇ unacceptably ਉੱਚ ਥਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਕਰੰਟਸ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਗੁੰਮ ਹੈ.

ਸ਼ਕਤੀਸ਼ਾਲੀ ਡਾਇਡ ਐਰੇ, diodes, ਬਰਾਡ, Watts ਦੇ ਦਹਿ ਦੀ ਫਜ਼ੀਹਤ ਗੁਣਵੱਤਾ ਦੀ ਸ਼ਕਤੀ ਦੀ ਇੱਕ ਸ਼ਤੀਰ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਦੇ ਯੋਗ ਦੀ ਲੜੀ ਰੱਖਦਾ.

diodes ਦੇ ਸ਼ਕਤੀਸ਼ਾਲੀ ਦੋ-ਆਯਾਮੀ ਐਰੇ Watts ਦੇ ਹਜ਼ਾਰ ਦੇ ਅਣਗਿਣਤ ਦੀ ਇੱਕ ਸ਼ਕਤੀ ਨੂੰ ਪੈਦਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ.

ਸਤਹ-ਇਮਟਿੰਗ lasers (VCSEL) ਪਲੇਟ ਨੂੰ ਲੰਬਵਤ ਕਈ milliwatts ਵਿਚ ਰੌਸ਼ਨੀ ਦੀ ਆਉਟਪੁੱਟ ਸ਼ਤੀਰ ਗੁਣਵੱਤਾ ਇਮਟਿੰਗ. resonator ਸ਼ੀਸ਼ੇ ਦੇ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਸਤਹ dynes ਵਿਚ ਲੇਅਰ ਦੇ ਰੂਪ ¼ ਵੱਖ ਨਾਲ ਲਹਿਰ ਵਿਚ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਤੇ refractive ਸੂਚਕ. ਇੱਕ ਇੱਕਲੇ ਚਿੱਪ 'ਤੇ ਕਈ ਸੌ lasers, ਜੋ ਕਿ ਪੁੰਜ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਅੱਪ ਖੁੱਲ੍ਹਦਾ ਹੈ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ.

C VECSEL ਆਪਟੀਕਲ ਊਰਜਾ ਇੰਪੁੱਟ ਅਤੇ ਇੱਕ ਬਾਹਰੀ resonator ਨੂੰ ਇੱਕ ਢੰਗ ਨੂੰ ਤਾਲਾਬੰਦੀ 'ਤੇ ਕਈ Watts ਦੇ ਚੰਗੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਦੀ ਸ਼ਕਤੀ ਦੀ ਇੱਕ ਸ਼ਤੀਰ ਬਣਾਉਣ ਦੇ ਸਮਰੱਥ lasers.

ਕੰਮ ਦੇ ਅਰਧਚਾਲਕ ਲੇਜ਼ਰ ਮਾਤਰਾ Cascade ਰੱਸੇ ਦੇ ਅੰਦਰ ਤਬਦੀਲੀ ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ (interband ਨੂੰ ਇਸ ਦੇ ਉਲਟ ਵਿੱਚ) ਕਿਸਮ. ਇਹ ਜੰਤਰ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਦੇ ਮੱਧ ਖੇਤਰ 'ਚ ਛਡਦਾ, ਕਈ ਵਾਰ terahertz ਸੀਮਾ ਹੈ, ਵਿੱਚ. ਉਹ ਗੈਸ ਸਮਤੋਲ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ, ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਦਾ ਹੈ,,.

ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ lasers: ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਅਤੇ ਦੇ ਮੁੱਖ ਪਹਿਲੂ

ਬਹੁਤ ਹੀ ਬਿਜਲੀ ਦਰਮਿਆਨੀ voltages 'ਤੇ ਲਿਵਾਲੀ ਦੇ ਨਾਲ ਹਾਈ-ਸ਼ਕਤੀ ਨੂੰ ਡਾਇਡ lasers ਊਰਜਾ ਦੀ ਸਪਲਾਈ ਕਰਨ ਦੇ ਬਹੁਤ ਹੀ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਸਾਧਨ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਵਰਤੇ ਗਏ ਹਨ, ਸੌਲਿਡ ਸਟੇਟ lasers.

ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ lasers ਫਰੀਕੁਇੰਸੀ ਦੀ ਇੱਕ ਵੱਡੀ ਸੀਮਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਦਿਸਦੀ, ਨੇੜੇ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਅਤੇ ਮੱਧ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਦਾ ਹਿੱਸਾ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ. ਬਣਾਏ ਜੰਤਰ ਦਾ ਵੀ izducheniya ਫਰੀਕੁਇੰਸੀ ਤਬਦੀਲ ਕਰਨ ਲਈ.

ਲੇਜ਼ਰ diodes ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਜਾਓ ਅਤੇ ਆਪਟੀਕਲ ਦੀ ਸ਼ਕਤੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਫਾਈਬਰ ਆਪਟਿਕ ਸੰਚਾਰ ਲਾਈਨ ਕੀਟਾਣੂ ਵਿਚ ਵਰਤਿਆ ਗਿਆ ਹੈ modulate ਸਕਦਾ ਹੈ.

ਇਹ ਗੁਣ ਕੀਤੀ ਹੈ ਅਰਧਚਾਲਕ lasers ਤਕਨਾਲੋਜੀ maser ਦਾ ਸਭ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕਿਸਮ ਦੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ. ਉਹ ਵਰਤੇ ਗਏ ਹਨ:

• ਨੂੰ ਇੱਕ ਮਿਤੀ ਸੂਚਕ, pyrometers, ਆਪਟੀਕਲ altimeter, rangefinders, ਵੱਖ ਵੱਖ, holography;
• ਫਾਈਬਰ ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਸਿਸਟਮ ਅਤੇ ਡਾਟਾ ਸਟੋਰੇਜ਼, ਠੋਸ ਸੰਚਾਰ ਸਿਸਟਮ ਵਿੱਚ;
• ਲੇਜ਼ਰ ਪ੍ਰਿੰਟਰ, ਵੀਡੀਓ ਪਰੋਜੈਕਟਰ, ਇਸ਼ਾਰੇ, ਪੱਟੀ ਕੋਡ ਸਕੈਨਰ, ਚਿੱਤਰ ਨੂੰ ਸਕੈਨਰ, CD-ਖਿਡਾਰੀ (DVD, CD, Blu-Ray);
• ਸੁਰੱਖਿਆ ਨੂੰ ਸਿਸਟਮ, ਮਾਤਰਾ ਕਰਿਪਟੋਗਰਾਫੀ, ਆਟੋਮੇਸ਼ਨ, ਸੂਚਕ ਹੈ;
• ਆਪਟੀਕਲ metrology ਅਤੇ ਸਪਿਕਟਰੋਸਕੋਪੀ ਵਿੱਚ;
• ਸਰਜਰੀ, ਦਤ, ਕੋਸਮਟੋਲੋਜੀ, ਥੈਰੇਪੀ;
• ਪਾਣੀ ਦੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਸਮੱਗਰੀ ਪਰਬੰਧਨ, ਸੌਲਿਡ ਸਟੇਟ lasers ਨੂੰ ਪੰਪ, ਹਵਾਈ ਰੱਖਿਆ ਸਿਸਟਮ ਉਦਯੋਗਿਕ ਲੜੀਬੱਧ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਕਰਮ, ਉਦਯੋਗਿਕ ਮਸ਼ੀਨਰੀ, ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਸਿਸਟਮ, ਅਤੇ ਦਾ ਕੰਟਰੋਲ.

ਪਲਸ ਆਉਟਪੁੱਟ

ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਅਰਧਚਾਲਕ ਲੇਜ਼ਰ ਇੱਕ ਨਿਰੰਤਰ ਸ਼ਤੀਰ ਨੂੰ ਬਣਾਉਦੀ ਹੈ. ਚਾੜ੍ਹਨ ਪੱਧਰ ਵਿੱਚ ਇਕਟ੍ਰੋਨ ਛੋਟਾ ਨਿਵਾਸ ਵਾਰ ਕਾਰਨ ਉਹ ਸ-ਤਬਦੀਲ ਦਾਲ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਬਹੁਤ ਹੀ ਠੀਕ ਨਹੀ ਹਨ, ਪਰ ਕਾਰਵਾਈ ਦੇ ਨੀਮ-ਲਗਾਤਾਰ ਮੋਡ ਕਾਫ਼ੀ ਮਾਤਰਾ ਜਰਨੇਟਰ ਸ਼ਕਤੀ ਨੂੰ ਵਧਾ ਸਕਦਾ ਹੈ. ਇਸ ਦੇ ਨਾਲ, ਅਰਧਚਾਲਕ lasers ultrashort ਪਲਸ ਢੰਗ-ਲਾਕ ਕਰ ਜ ਲਾਭ ਦੇ ਬਦਲਣ ਦੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ. ਔਸਤ ਦੀ ਸ਼ਕਤੀ ਛੋਟਾ ਦਾਲ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ VECSEL-optically ਲਿਵਾਲੀ lasers, ਜਿਸ ਨੂੰ ਆਉਟਪੁੱਟ ਲਟਕਿਆ gigahertz ਦੇ ਦਹਿ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਫਰੀਕੁਇੰਸੀ ਨਾਲ picosecond ਦਾਲ ਮਾਪਿਆ ਨੂੰ ਛੱਡ ਕੇ ਕੁਝ milliwatts ਤੱਕ ਹੀ ਸੀਮਿਤ.

ਸੁਰ ਅਤੇ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ

ਅਰਧਚਾਲਕ lasers ਦੇ ਚਾੜ੍ਹਨ ਪਹਿਰੇਦਾਰ ਵਿੱਚ ਛੋਟਾ ਨਿਵਾਸ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਦਾ ਫਾਇਦਾ ਉੱਚ ਆਵਿਰਤੀ, ਜਿਸ VCSEL-lasers 10 GHz ਵੱਧ ਹੈ modulate ਕਰਨ ਦੀ ਯੋਗਤਾ ਹੈ. ਇਹ ਆਪਟੀਕਲ ਡਾਟਾ ਸੰਚਾਰ, ਸਪਿਕਟਰੋਸਕੋਪੀ, ਲੇਜ਼ਰ ਸਥਿਰਤਾ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਗਿਆ ਹੈ.